Транзистор польовий IRF530

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, імпульсні джерела живлення, драйвери та силові комутаційні вузли.

Технічні характеристики

• Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
• Корпус: TO-220AB
• Монтаж: THT (вивідний монтаж)
• Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 100 В
• Постійний струм стоку (ID), за карткою: 14 А
• Потужність розсіювання (PD), за карткою: 88 Вт
• Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 0,16 Ом

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Робота в інверторах
• Робота в імпульсних джерелах живлення
• Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
• Силова або сигнальна комутація

Розпіновка

Корпус TO-220AB. Якщо дивитися на сторону з маркуванням, виводами вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) Металева задня пластина/фланець у звичайному неізольованому корпусі зазвичай з'єднана з Drain.