Транзистор польовий IRF8313TR

Опис

це подвійний N-канальний MOSFET (2× N-channel) у корпусі SO-8. Об'єднання двох ключів в одному корпусі зменшує розміри та паразитні індуктивності. Типове застосування: DC-DC перетворювачі, керування живленням, напівмости, захист акумуляторів, ключі навантаження та компактні імпульсні вузли.

Технічні характеристики

• Тип: подвійний N-канальний MOSFET (2× N-channel)
• Корпус: SO-8
• Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
• Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 30 В
• Постійний струм стоку (ID), за карткою: 9,7 А
• Потужність розсіювання (PD), за карткою: 2 Вт
• Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 0,0155 Ом
• Особливості: два MOSFET в одному корпусі
• VGS(max): ±20 В
• TJ(max): +175 °C
• RDS(on): max 15,5 мОм @ 10 В; max 21,6 мОм @ 4,5 В
• Конфігурація: Dual N-channel

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Робота в імпульсних джерелах живлення
• Захист акумуляторних ліній
• Комутація навантаження
• Керування лініями живлення

Розпіновка

Корпус SO-8, подвійна MOSFET-збірка. Для сімейства IR dual SO-8 типове розташування: 1. S1 2. G1 3. S2 4. G2 5. D2 6. D2 7. D1 8. D1 Для конкретної ревізії перед розводкою PCB бажано звірити графічний pinout у datasheet.