Транзистор польовий NCEP023N10LL

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, імпульсні джерела живлення, драйвери та силові комутаційні вузли.

Технічні характеристики

• Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
• Корпус: TOLL
• Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
• Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 100 В
• Постійний струм стоку (ID), за карткою: 300 А
• Потужність розсіювання (PD), за карткою: 380 Вт
• Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 2.3 мОм

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Робота в інверторах
• Робота в імпульсних джерелах живлення
• Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
• Силова або сигнальна комутація

Розпіновка

Корпус TOLL є низькоіндуктивним силовим SMD-корпусом з кількома паралельними контактами/тепловою площадкою. Його не можна описувати просто як «1-G, 2-D, 3-S». Для монтажу та PCB використовуйте графічний pin/land pattern datasheet саме цієї моделі; силова площадка Drain/Source займає значну частину корпусу.