Транзистор польовий FDD4141

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: низьковольтні DC-DC перетворювачі, BMS, автомобільна електроніка, драйвери двигунів, ключі навантаження та системи керування живленням.

Технічні характеристики

• Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
• Корпус: D-PAK
• Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
• Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 40 В
• Потужність розсіювання (PD), за карткою: 2.4 Вт
• Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 12.3 мОм

Функціонал

• Робота у DC-DC перетворювачах
• Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
• Керування силовими лініями у BMS
• Комутація навантаження
• Керування лініями живлення
• Силова або сигнальна комутація

Розпіновка

Корпус D-PAK. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) Велика металева/теплова площадка зазвичай електрично з'єднана з Drain (D).