+380 (96) 723-12-25
+380 (95) 427-17-95
+380 (93) 170-21-75
НІКОМ радіо-маркет
Транзистор польовий IRF830, фото 2

Транзистор польовий IRF830

  • Готово до відправки
  • Код: A118297

35,96 ₴

Транзистор польовий IRF830
Транзистор польовий IRF830Готово до відправки
35,96 ₴

Компанія тимчасово не приймає замовлення

повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
N-Ch 74W; 500V; 4,5A; 1,5Ohm

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: імпульсні джерела живлення (SMPS), інвертори, PFC, електронні баласти, високовольтні перетворювачі та силові ключові каскади.

Технічні характеристики

  • Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
  • Корпус: APEC
  • Монтаж: THT (вивідний монтаж)
  • Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 500 В
  • Постійний струм стоку (ID), за карткою: 4,5 А
  • Потужність розсіювання (PD), за карткою: 74 Вт
  • Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 1,5 Ом

Функціонал

  • Робота в інверторах
  • Робота в імпульсних джерелах живлення
  • Робота у вузлах PFC
  • Робота в електронних баластах
  • Силова або сигнальна комутація

Розпіновка

Для корпусу APEC розпіновка залежить від конкретної моделі та виробника. Перед монтажем необхідно користуватися графічним pinout/lead assignment datasheet цієї деталі.

Характеристики
Основні
ВиробникAPEC
Користувальницькі характеристики
КорпусTO-220
Число каналів1
Максимальна робоча температура, °C150
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт500
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом1,5
ПолярністьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт2-4
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер4,5
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт74
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд10
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд41
Інформація для замовлення
  • Ціна: 35,96 ₴