Транзистор польовий HM6N60F

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: імпульсні джерела живлення (SMPS), інвертори, PFC, електронні баласти, високовольтні перетворювачі та силові ключові каскади.

Технічні характеристики

• Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
• Корпус: TO-220F
• Монтаж: THT (вивідний монтаж)
• Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 600 В
• Постійний струм стоку (ID), за карткою: 6 А
• Потужність розсіювання (PD), за карткою: 50 Вт
• Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 1.4 Ом
• Особливості: ізольований силовий корпус / FullPak

Функціонал

• Робота в інверторах
• Робота в імпульсних джерелах живлення
• Робота у вузлах PFC
• Робота в електронних баластах
• Силова або сигнальна комутація

Розпіновка

Корпус TO-220F. Якщо дивитися на сторону з маркуванням, виводами вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) Зовнішня задня поверхня FullPak/TO-220F електрично ізольована від кристала.