Транзистор польовий IRF7341
- Готово до відправки
- Код: A118215
35,96 ₴
Транзистор польовий IRF7341Готово до відправки
35,96 ₴
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
2N-ch; 55V; 4.7A; 2W; 0.05 Ohm
Опис
це подвійний N-канальний MOSFET (2× N-channel) у корпусі SO-8. Об'єднання двох ключів в одному корпусі зменшує розміри та паразитні індуктивності. Типове застосування: DC-DC перетворювачі, керування живленням, напівмости, захист акумуляторів, ключі навантаження та компактні імпульсні вузли.
Технічні характеристики
- Тип: подвійний N-канальний MOSFET (2× N-channel)
- Корпус: SO-8
- Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
- Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 55 В
- Постійний струм стоку (ID), за карткою: 4.7 А
- Потужність розсіювання (PD), за карткою: 2 Вт
- Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 0.05 Ом
- Особливості: два MOSFET в одному корпусі
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота в імпульсних джерелах живлення
- Захист акумуляторних ліній
- Комутація навантаження
- Керування лініями живлення
Розпіновка
Корпус SO-8, подвійна MOSFET-збірка. Для сімейства IR dual SO-8 типове розташування: 1. S1 2. G1 3. S2 4. G2 5. D2 6. D2 7. D1 8. D1 Для конкретної ревізії перед розводкою PCB бажано звірити графічний pinout у datasheet.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | SO-8 |
| Число каналів | 2 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,05 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 4,7 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 2 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 8,3 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 32 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 35,96 ₴