(N-Ch) 100V; 9,2A; 60W; 0,27Ohm
Опис
IRF520N — потужний N-канальний MOSFET-транзистор у корпусі TO-220, призначений для швидкої комутації та керування навантаженнями в силових електронних схемах. Може застосовуватися для керування від мікроконтролерів через драйвер або безпосередньо при невеликих струмах.
Технічні характеристики
- Тип транзистора: MOSFET
- Тип каналу: N-канальний
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 100 В
- Максимальний струм стоку (ID): 9,7 А при температурі корпусу 25 °C
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): 0,20 Ом
- Порогова напруга затвору (VGS(th)): 2–4 В
- Максимальна розсіювана потужність: 48 Вт
- Корпус: TO-220
- Розпіновка: пін 1 — затвор (Gate, G); пін 2 — стік (Drain, D); пін 3 — витік (Source, S)
- Металева підкладка корпусу з'єднана зі стоком (Drain)
Функціонал
- Комутація навантажень у ланцюгах постійного струму
- Керування швидкістю DC-двигунів за допомогою ШІМ (PWM)
- Комутація світлодіодних стрічок, соленоїдів, реле та нагрівальних елементів
- Робота в імпульсних блоках живлення та DC-DC перетворювачах
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO-220 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 100 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,27 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 9,2 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 60 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 9 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 18 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 24,36 ₴



