Транзистор польовий HM4N80AP
- Готово до відправки
- Код: A118275
29,58 ₴
Транзистор польовий HM4N80APГотово до відправки
29,58 ₴
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
N-Ch, 800V, 4A, N-Channel Power MOSFET-Y
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: імпульсні джерела живлення (SMPS), інвертори, PFC, електронні баласти, високовольтні перетворювачі та силові ключові каскади.
Технічні характеристики
- Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
- Корпус: TO-220
- Монтаж: THT (вивідний монтаж)
- Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 800 В
- Постійний струм стоку (ID), за карткою: 4 А
Функціонал
- Робота в інверторах
- Робота в імпульсних джерелах живлення
- Робота у вузлах PFC
- Робота в електронних баластах
- Силова або сигнальна комутація
Розпіновка
Корпус TO-220. Якщо дивитися на сторону з маркуванням, виводами вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) Металева задня пластина/фланець у звичайному неізольованому корпусі зазвичай з'єднана з Drain.
Характеристики
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Виробник | HKZ |
| Корпус | TO-220 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 30 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 800 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 4,8 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 3-5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 3 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 62 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 35 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 60 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 29,58 ₴