Транзистор польовий STN1NK60Z

Опис

це N-канальний SuperMESH, із захистом затвора силовий польовий транзистор (MOSFET) з ізольованим затвором збагаченого типу. Він використовується в імпульсних джерелах живлення (SMPS), інверторах, PFC-вузлах, електронних баластах і високовольтних ключових каскадах. Максимальна напруга стік-витік становить 600 В.

Технічні характеристики

• Тип / канал: N-канальний SuperMESH, із захистом затвора
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 600 В
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 0,3 А
• Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): близько 1,2 А
• Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): типово 13 Ом, max 15 Ом
• Порогова напруга затвор-витік (VGS(th)): приблизно 3…4,5 В
• Максимальна напруга затвор-витік (VGS): затвор захищений внутрішніми стабілітронами; див. ST datasheet
• Максимальна потужність розсіювання (PD): близько 3,3 Вт за умов монтажу на PCB
• Діапазон / максимальна температура переходу (TJ): -55…+150 °C
• Тип корпусу: SOT-223

Функціонал

• Комутація електричного навантаження
• Робота у ключових каскадах інверторів
• Робота у вузлах корекції коефіцієнта потужності

Розпіновка

Транзистор виконаний у корпусі SOT-223. Якщо дивитися на сторону з маркуванням (виводами вниз; для SMD — у стандартній орієнтації згідно креслення корпусу), основна цокольовка така: 1. Gate (G, Затвор) — керуючий вивід. 2. Drain (D, Сток) — силовий вивід; теплова/металева площадка корпусу, якщо вона є, зазвичай також з’єднана зі стоком. 3. Source (S, Витік) — силовий вивід витоку. Для SOT-223/DPAK/D2PAK велика теплова площадка електрично відповідає Drain (D).