((P-Ch) HEXFET Power MOSFET 60V; 19A; 88W; 0,14Ohm
Опис
IRF9Z34N — потужний P-канальний MOSFET-транзистор у корпусі TO-220AB, призначений для комутації навантаження в ланцюгах постійного струму. P-канальна структура дозволяє використовувати транзистор для комутації позитивної шини живлення.
Технічні характеристики
- Тип транзистора: MOSFET
- Тип каналу: P-канальний
- Максимальна напруга стік-витік (VDSS): -60 В
- Максимальний струм стоку (ID): -19 А при 25 °C
- Опір відкритого каналу (RDS(on)): 0,10 Ом при VGS = -10 В
- Порогова напруга затвору (VGS(th)): від -2,0 до -4,0 В
- Максимальна розсіювана потужність: 68 Вт
- Корпус: TO-220AB
- Розпіновка: пін 1 — затвор (Gate, G); пін 2 — стік (Drain, D); пін 3 — витік (Source, S)
- Металева підкладка корпусу з'єднана зі стоком (Drain)
Функціонал
- Комутація навантаження по позитивній шині живлення
- Робота як верхній ключ (High-Side Switch)
- Керування двигунами у мостових схемах
- Комутація навантажень в автомобільній електроніці
- Робота у перетворювачах напруги та інверторах
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO-220 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 55 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,1 |
| Полярність | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 19 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 68 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 13 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 30 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 34,80 ₴



