P-ch Vds=30V Id=12A
Описание
це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: низковольтные DC-DC перетворювачі, BMS, автомобильная электроника, драйверы двигателей, ключи нагрузки та системы управления питанием.
Технические характеристики
- Тип: P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
- Корпус: SO-8
- Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
- Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 30
- Постоянный ток стока (ID), за карткою: 12
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
- Управление силовыми линиями у BMS
- Коммутация нагрузки
- Управление линиями питания
- Силовая или сигнальная коммутация
Распиновка
Корпус SO-8, одиночний силовий MOSFET. Типове розташування силових контактів: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D) Перед заміною або трасуванням PCB бажано звірити datasheet конкретної ревізії.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | China |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | SO-8 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 25 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,017 |
| Полярность | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1,7-3 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 12 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 3,1 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 11 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 24 |
Информация для заказа
- Цена: 23,20 ₴


