НИКОМ радио-маркет
Транзистор полевой STD1NK80Z, фото 2

Транзистор полевой STD1NK80Z

  • Готово к отправке
  • Код: A118258

24,36 ₴

Транзистор полевой STD1NK80Z
Транзистор полевой STD1NK80ZГотово к отправке
24,36 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
MOSFET N, 800В, 1А, 13 Ом

Описание

це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: импульсные источники питания (SMPS), інвертори, PFC, електронні баласти, високовольтні перетворювачі та силові ключові каскади.

Технические характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
  • Корпус: DPAK
  • Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
  • Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 800 В
  • Постоянный ток стока (ID), за карткою: 1 А
  • Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 800 Вт
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 13 Ом

Функционал

  • Работа в інверторах
  • Работа в імпульсних джерелах живлення
  • Работа в вузлах PFC
  • Работа в електронних баластах
  • Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус DPAK. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Велика металлическая/тепловая площадка обычно электрически соединена з Drain (D).

Характеристики
Основные
ПроизводительSTM
Пользовательские характеристики
КорпусD-PAK
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C150
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт30
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт800
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом16
ПолярностьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт3-4,5
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер1
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт45
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд8
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд22
Информация для заказа
  • Цена: 24,36 ₴