НИКОМ радио-маркет
Транзистор полевой IRF5210S, фото 2

Транзистор полевой IRF5210S

  • Готово к отправке
  • Код: A118256

45,24 ₴

Транзистор полевой IRF5210S
Транзистор полевой IRF5210SГотово к отправке
45,24 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
P-ch; 100V; 40A; 0.06 Ohm

Описание

це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, импульсные источники питания, драйвери та силові комутаційні вузли.

Технические характеристики

  • Тип: P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
  • Корпус: D2-Pak
  • Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
  • Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 100 В
  • Постоянный ток стока (ID), за карткою: 40 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0.06 Ом

Функционал

  • Работа в DC-DC перетворювачах
  • Работа в інверторах
  • Работа в імпульсних джерелах живлення
  • Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
  • Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус D2-Pak. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Велика металлическая/тепловая площадка обычно электрически соединена з Drain (D).

Характеристики
Основные
ПроизводительIR
Пользовательские характеристики
КорпусD2-PAK
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C175
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт100
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,06
ПолярностьP-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт2-4
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер40
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд17
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд79
Информация для заказа
  • Цена: 45,24 ₴