НИКОМ радио-маркет
Транзистор полевой IRFD110, фото 2

Транзистор полевой IRFD110

  • Готово к отправке
  • Код: A118254

38,86 ₴

Транзистор полевой IRFD110
Транзистор полевой IRFD110Готово к отправке
38,86 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
N; 100V; 1A; 1.3W; 0.54 Ohm

Описание

це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, импульсные источники питания, драйвери та силові комутаційні вузли.

Технические характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
  • Корпус: HD1
  • Монтаж: THT (выводной монтаж)
  • Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 100 В
  • Постоянный ток стока (ID), за карткою: 1 А
  • Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 1.3 Вт
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0.54 Ом

Функционал

  • Работа в DC-DC перетворювачах
  • Работа в інверторах
  • Работа в імпульсних джерелах живлення
  • Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
  • Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус HD1 / HVMDIP (4 виводи). У IRFD-серії фізично виведені Gate (G), Source (S) та два электрически объединенные Drain (D) для зменшення опору й тепловідведення. Орієнтацію номерів потрібно звіряти за ключем корпусу в datasheet конкретної моделі.

Характеристики
Основные
ПроизводительVishay Intertechnology
Пользовательские характеристики
КорпусHEXDIP
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C175
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт100
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,54
ПолярностьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт2-4
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер1
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт1,3
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд6,9
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд15
Информация для заказа
  • Цена: 38,86 ₴