Транзистор полевой FQD10N65SE
- Готово к отправке
- Код: A118228
37,70 ₴
Транзистор полевой FQD10N65SEГотово к отправке
37,70 ₴
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
N-Ch 650V 10A 45W 900mΩ
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: импульсные источники питания (SMPS), інвертори, PFC, електронні баласти, високовольтні перетворювачі та силові ключові каскади.
Технические характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
- Корпус: TO-252
- Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
- Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 650 В
- Постоянный ток стока (ID), за карткою: 10 А
- Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 45 Вт
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 900 мОм
Функционал
- Работа в інверторах
- Работа в імпульсних джерелах живлення
- Работа в вузлах PFC
- Работа в електронних баластах
- Силовая или сигнальная коммутация
Распиновка
Корпус TO-252. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Велика металлическая/тепловая площадка обычно электрически соединена з Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 37,70 ₴