N-ch; 40 В, 300 А, Rds(on) ~0.8 мΩ
Описание
це N-канальный OptiMOS MOSFET с изолированным затвором. Применяется в DC-DC преобразователях, BMS, автомобильной электронике, драйверах двигателей, UPS і ключах нагрузки.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный OptiMOS MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 40 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 300 А
- Максимальный импульсный ток (IDM): 1200 А
- Сопротивление открытого канала RDS(on): ≈0,77…0,8 мОм @10 В
- Пороговое напряжение VGS(th): 2…4 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 429 Вт
- Температура перехода / рабочий диапазон: -55…+175 °C
- Полный заряд затвора (Qg): typ ≈221 нКл; max ≈287 нКл
- Корпус: H-PSOF-8-1
Функционал
- DC-DC преобразователях
- BMS
- автомобильной электронике
- драйверах двигателей
- UPS
- ключах нагрузки
Распиновка
Корпус H-PSOF-8-1 / TOLL-type: 1. Gate (G) 2–8. Source (S) — параллельные силовые контакты Велика нижня/задня силова площадка — Drain (D). Таке розташування зменшує паразитні індуктивності та опір корпусу.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
Информация для заказа
- Цена: 46,98 ₴



