N-ch; 40 В, 300 А, Rds(on) ~0.8 мΩ
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: низковольтные DC-DC перетворювачі, BMS, автомобильная электроника, драйверы двигателей, ключи нагрузки та системы управления питанием.
Технические характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
- Корпус: H-PSOF-8-1
- Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
- Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 40 В
- Постоянный ток стока (ID), за карткою: 300 А
- Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 40 Вт
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
- Управление силовыми линиями у BMS
- Коммутация нагрузки
- Управление линиями питания
- Силовая или сигнальная коммутация
Распиновка
Корпус H-PSOF-8-1 є низькоіндуктивним силовим SMD-корпусом з кількома паралельними контактами/тепловою площадкою. Його не можна описувати просто як «1-G, 2-D, 3-S». Для монтажу та PCB використовуйте графічний pin/land pattern datasheet саме цієї моделі; силова площадка Drain/Source займає значну частину корпусу.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
Информация для заказа
- Цена: 44,08 ₴



