НИКОМ радио-маркет

Транзистор полевой IRF7421 D1

  • Готово к отправке
  • Код: A118211

29 ₴

Транзистор полевой IRF7421 D1
Транзистор полевой IRF7421 D1Готово к отправке
29 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
N-ch; 30V; 5.8A; 2.5W; 0.035 Ohm; Vf=0.39V

Описание

це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: низковольтные DC-DC перетворювачі, BMS, автомобильная электроника, драйверы двигателей, ключи нагрузки та системы управления питанием.

Технические характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
  • Корпус: SO-8
  • Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
  • Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 30 В
  • Постоянный ток стока (ID), за карткою: 5.8 А
  • Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 2.5 Вт
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0.035 Ом

Функционал

  • Работа в DC-DC перетворювачах
  • Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
  • Управление силовыми линиями у BMS
  • Коммутация нагрузки
  • Управление линиями питания
  • Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус SO-8, одиночний силовий MOSFET. Типове розташування силових контактів: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D) Перед заміною або трасуванням PCB бажано звірити datasheet конкретної ревізії.

Характеристики
Основные
ПроизводительIR
Пользовательские характеристики
КорпусSO-8
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C150
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт30
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,035
ПолярностьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт1
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер5,8
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт2
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд6,7
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд20
Информация для заказа
  • Цена: 29 ₴