НИКОМ радио-маркет

Транзистор полевой IRF6216

  • Готово к отправке
  • Код: A118209

51,62 ₴

Транзистор полевой IRF6216
Транзистор полевой IRF6216Готово к отправке
51,62 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
P-ch; 150V; 2.2A; 2.5W; 0.24 Ohm

Описание

це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, импульсные источники питания, драйвери та силові комутаційні вузли.

Технические характеристики

  • Тип: P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
  • Корпус: SO-8
  • Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
  • Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 150 В
  • Постоянный ток стока (ID), за карткою: 2.2 А
  • Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 2.5 Вт
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0.24 Ом

Функционал

  • Работа в DC-DC перетворювачах
  • Работа в інверторах
  • Работа в імпульсних джерелах живлення
  • Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
  • Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус SO-8, одиночний силовий MOSFET. Типове розташування силових контактів: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D) Перед заміною або трасуванням PCB бажано звірити datasheet конкретної ревізії.

Характеристики
Основные
ПроизводительIR
Пользовательские характеристики
КорпусSO-8
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C150
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт150
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,24
ПолярностьP-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт3-5
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер2,2
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт2,5
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд18
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд33
Информация для заказа
  • Цена: 51,62 ₴