НИКОМ радио-маркет
Транзистор полевой IRFB59N10D, фото 2

Транзистор полевой IRFB59N10D

  • Готово к отправке
  • Код: A118202

149,64 ₴

Транзистор полевой IRFB59N10D
Транзистор полевой IRFB59N10DГотово к отправке
149,64 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
N-ch; 100V; 59A; 200W; 0.025 Ohm

Описание

це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, импульсные источники питания, драйвери та силові комутаційні вузли.

Технические характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
  • Корпус: TO-220
  • Монтаж: THT (выводной монтаж)
  • Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 100 В
  • Постоянный ток стока (ID), за карткою: 59 А
  • Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 200 Вт
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0.025 Ом

Функционал

  • Работа в DC-DC перетворювачах
  • Работа в інверторах
  • Работа в імпульсних джерелах живлення
  • Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
  • Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус TO-220. Если смотреть на сторону с маркировкой, выводами вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Металева задня пластина/фланець у звичайному неізольованому корпусі обычно соединена з Drain.

Характеристики
Основные
ПроизводительIR
Пользовательские характеристики
КорпусTO-220
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C175
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт30
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт100
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,025
ПолярностьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт3-5,5
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер59
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт200
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд16
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд20
Информация для заказа
  • Цена: 149,64 ₴