Транзистор полевой IRFR210 (TPM2006NHK3)
- Готово к отправке
- Код: A118196
17,98 ₴
Транзистор полевой IRFR210 (TPM2006NHK3)Готово к отправке
17,98 ₴
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
N-ch; 200V 6A 690mΩ 38.4W
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, импульсные источники питания, драйвери та силові комутаційні вузли.
Технические характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
- Корпус: TO-252-3L
- Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
- Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 200 В
- Постоянный ток стока (ID), за карткою: 6 А
- Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 38.4 Вт
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 690 мОм
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Работа в інверторах
- Работа в імпульсних джерелах живлення
- Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
- Силовая или сигнальная коммутация
Распиновка
Корпус TO-252-3L. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Велика металлическая/тепловая площадка обычно электрически соединена з Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IR |
Информация для заказа
- Цена: 17,98 ₴