НИКОМ радио-маркет
Транзистор полевой IRF3205S, фото 2

Транзистор полевой IRF3205S

  • Готово к отправке
  • Код: A118184

51,04 ₴

Транзистор полевой IRF3205S
Транзистор полевой IRF3205SГотово к отправке
51,04 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
N-Ch 55V; 110A; 8mOm

Описание

це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: низковольтные DC-DC перетворювачі, BMS, автомобильная электроника, драйверы двигателей, ключи нагрузки та системы управления питанием.

Технические характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
  • Корпус: D2PAK
  • Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
  • Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 55 В
  • Постоянный ток стока (ID), за карткою: 110 А

Функционал

  • Работа в DC-DC перетворювачах
  • Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
  • Управление силовыми линиями у BMS
  • Коммутация нагрузки
  • Управление линиями питания
  • Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус D2PAK. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Велика металлическая/тепловая площадка обычно электрически соединена з Drain (D).

Характеристики
Основные
ПроизводительIR
Пользовательские характеристики
КорпусD2-PAK
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C175
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт55
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,008
ПолярностьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт2-4
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер110
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт200
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд14
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд50
Информация для заказа
  • Цена: 51,04 ₴