N-Ch 55V; 110A; 8mOm
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: низковольтные DC-DC перетворювачі, BMS, автомобильная электроника, драйверы двигателей, ключи нагрузки та системы управления питанием.
Технические характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
- Корпус: D2PAK
- Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
- Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 55 В
- Постоянный ток стока (ID), за карткою: 110 А
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
- Управление силовыми линиями у BMS
- Коммутация нагрузки
- Управление линиями питания
- Силовая или сигнальная коммутация
Распиновка
Корпус D2PAK. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Велика металлическая/тепловая площадка обычно электрически соединена з Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IR |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | D2-PAK |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 55 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,008 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 110 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 200 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 14 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 50 |
Информация для заказа
- Цена: 51,04 ₴



