P-ch; 150V; 13A; 110W; 0.295 Ohm
Описание
це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, импульсные источники питания, драйвери та силові комутаційні вузли.
Технические характеристики
- Тип: P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
- Корпус: D-PAK
- Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
- Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 150 В
- Постоянный ток стока (ID), за карткою: 13 А
- Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 110 Вт
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0.295 Ом
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Работа в інверторах
- Работа в імпульсних джерелах живлення
- Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
- Силовая или сигнальная коммутация
Распиновка
Корпус D-PAK. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Велика металлическая/тепловая площадка обычно электрически соединена з Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IR |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | D-Pak |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 150 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,295 |
| Полярность | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 13 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 110 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 14 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 53 |
Информация для заказа
- Цена: 41,18 ₴



