НИКОМ радио-маркет
Транзистор полевой IRFBC40AS, фото 2

Транзистор полевой IRFBC40AS

  • Готово к отправке
  • Код: A118169

31,90 ₴

Транзистор полевой IRFBC40AS
Транзистор полевой IRFBC40ASГотово к отправке
31,90 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
N-ch; 600V; 6.2A; 125W; 1.2 Ohm

Описание

це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: импульсные источники питания (SMPS), інвертори, PFC, електронні баласти, високовольтні перетворювачі та силові ключові каскади.

Технические характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
  • Корпус: D2-Pack
  • Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
  • Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 600 В
  • Постоянный ток стока (ID), за карткою: 6.2 А
  • Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 125 Вт
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 1.2 Ом

Функционал

  • Работа в інверторах
  • Работа в імпульсних джерелах живлення
  • Работа в вузлах PFC
  • Работа в електронних баластах
  • Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус D2-Pack. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Велика металлическая/тепловая площадка обычно электрически соединена з Drain (D).

Характеристики
Основные
ПроизводительIR
Пользовательские характеристики
КорпусD2-PAK
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C150
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт30
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт600
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом1,2
ПолярностьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт2-4
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер6,2
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт125
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд13
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд31
Информация для заказа
  • Цена: 31,90 ₴