N-ch; 30V; 6.5A; 2W; 0.029 Ohm двойной
Описание
це двойной N-канальный MOSFET (2× N-channel) у корпусі SO-8. Об'єднання двох ключів в одному корпусі зменшує розміри та паразитні індуктивності. Типове застосування: DC-DC перетворювачі, керування живленням, напівмости, захист акумуляторів, ключи нагрузки та компактні імпульсні вузли.
Технические характеристики
- Тип: двойной N-канальный MOSFET (2× N-channel)
- Корпус: SO-8
- Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
- Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 30 В
- Постоянный ток стока (ID), за карткою: 6.5 А
- Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 2 Вт
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0.029 Ом
- Особенности: два MOSFET в одному корпусі
- VGS(max): ±20 В
- VGS(th): від 1,0 В (мінімум за datasheet)
- IDM: 30 А
- TJ: -55…+150 °C
- RDS(on): max 29 мОм @ VGS=10 В; max 46 мОм @ 4,5 В
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Работа в імпульсних джерелах живлення
- Захист акумуляторних ліній
- Коммутация нагрузки
- Управление линиями питания
Распиновка
Корпус SO-8, подвійна MOSFET-збірка. Для сімейства IR dual SO-8 типове розташування: 1. S1 2. G1 3. S2 4. G2 5. D2 6. D2 7. D1 8. D1 Для конкретної ревізії перед розводкою PCB бажано звірити графічний pinout у datasheet.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IR |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | SO-8 |
| Число каналов | 2 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,029 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 6,5 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 2 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 8,1 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 26 |
Информация для заказа
- Цена: 27,26 ₴


