N P-ch; 30V; 5.6A; 27 mOhm;
Описание
це комплементарная сборка полевых MOSFET-транзисторов, що містить N- и P-канальный ключ в одному корпусі SO-8. Такі збірки применяются у узлах управления питаниям, DC-DC преобразователях, ключах навантаження, синхронних и напівмостових каскадах, де важливі компактність і мала довжина з’єднань.
Технические характеристики
- Тип / канал: комплементарний N+P MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): N: +30 В; P: -30 В
- Максимальний постійний ток стоку (ID): приблизительно +5 А / -5 А за MTsemi datasheet; картка вказує 5,6 А
- Максимальний імпульсний ток стоку (IDM): N: +20 А; P: -20 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): N: до 30 мОм @10 В; P: до 54 мОм @-10 В; картка вказує 27 мОм як характеристику позиції
- Порогова напряжение затвор-исток (VGS(th)): N: 1…3 В; P: -1…-3 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальное мощность розсіювання (PD): около 2 Вт
- Діапазон / максимальное температура переходу (TJ): -55…+150 °C
- Тип корпуса: SO-8
Функционал
- Комутація електричного навантаження
- Робои у ключевых каскадах перетворювачів питания
Распиновка
Корпус SO-8, два MOSFET. Типова для цієї серії схема виводів: 1. S1 — исток канала 1. 2. G1 — затвор канала 1. 3. S2 — исток канала 2. 4. G2 — затвор канала 2. 5. D2 — сток канала 2. 6. D2 — сток канала 2. 7. D1 — сток канала 1. 8. D1 — сток канала 1. Перед трасуванням PCB звіряйте, який саме номер канала є N-, а який P-каналом, за схемою в datasheet конкретної мікросхеми.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | MT |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | SO-8 |
| Число каналов | 2 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | N20 P20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | N30 P30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | N0,05 P0,075 |
| Полярность | N та P-канал |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | N1-2,5 P1-2,5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | N5,6 P5,3 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 2,5 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | N17 P9 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | N23 P38 |
Информация для заказа
- Цена: 16,82 ₴


