Транзистор полевой IRF5850
- Готово к отправке
- Код: A118119
35,38 ₴
Транзистор полевой IRF5850Готово к отправке
35,38 ₴
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
P; 20V; 2.2A; 0.96W; 0.135 Ohm двойной
Описание
це двойной P-канальный MOSFET, тобто два польові транзистори в одному компактному корпусі TSOP-6. Він предназначен для коммутации питания, защиты от переполюсовки, управления аккумуляторными линиями и інших низковольтных силових узлов.
Технические характеристики
- Тип / канал: двойной P-канальный (2× P-MOSFET)
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -20 В
- Максимальний постійний ток стоку (ID): -2,2 А на канал
- Максимальний імпульсний ток стоку (IDM): -9 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): до 0,135 Ом (умови залежать від datasheet)
- Порогова напряжение затвор-исток (VGS(th)): низьковольтний P-MOSFET; точний діапазон див. datasheet ревізії
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±12 В
- Максимальное мощность розсіювання (PD): 0,96 Вт
- Діапазон / максимальное температура переходу (TJ): -55…+150 °C
- Тип корпуса: TSOP-6
Функционал
- Комутація електричного навантаження
- Захист ліній питания від переполюсовки
- Керування питаниям в акумуляторних узлах
Распиновка
Корпус TSOP-6, два P-канальні MOSFET. Нумерацію слід орієнтувати за точкою/ключем корпусу. Для IRF5850 используется роздільна схема двох каналів; перед розводкою плати обов’язково звіряйте графічний pinout саме з datasheet конкретної ревізії IRF5850, оскільки помилка місцями S/G/D може пошкодити вузол.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IR |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | TSOP-6 |
| Число каналов | 2 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 12 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 20 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,135 |
| Полярность | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 0,45-1,2 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 2,2 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 0,96 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 8,3 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 31 |
Информация для заказа
- Цена: 35,38 ₴