Транзистор полевой IRF5210

Описание

це мощный P-канальный полевой транзистор (MOSFET) с изолированным затвором обогащенного типа. Він розрахований на напругу сток-исток до -100 В и зручний для верхньої комутації питания, защиты от переполюсовки, управления навантаженням і силових DC-узлов.

Технические характеристики

• Тип / канал: P-канальный
• Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -100 В
• Максимальний постійний ток стоку (ID): -40 А
• Максимальний імпульсний ток стоку (IDM): до -140 А
• Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): 0,060 Ом при VGS=-10 В
• Порогова напряжение затвор-исток (VGS(th)): -2,0…-4,0 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
• Максимальное мощность розсіювання (PD): 200 Вт
• Діапазон / максимальное температура переходу (TJ): до +175 °C
• Тип корпуса: TO-220

Функционал

• Комутація електричного навантаження
• Захист ліній питания від переполюсовки
• Верхня комутація ліній питания

Распиновка

Транзистор виконаний у корпусі TO-220. Якщо дивитися на сторону с маркировкой (выводами вниз; для SMD — у стандартній орієнтації згідно креслення корпусу), основна цокольовка така: 1. Gate (G, Затвор) — управляющий вывод. 2. Drain (D, Сток) — силовой вывод; тепловая/металлическая площадка корпусу, якщо вона є, зазвичай також з’єднана зі стоком. 3. Source (S, Исток) — силовой вывод витоку. Для SOT-223/DPAK/D2PAK большая тепловая площадка электрически соответствует Drain (D).