Транзистор полевой FDS6675BZ
- Готово к отправке
- Код: A118081
39,44 ₴
Транзистор полевой FDS6675BZГотово к отправке
39,44 ₴
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
P-ch; 30V; 11A; 2.5W; 0.013 Ohm; Logic Level
Описание
FDS6675BZ — силовой P-канальный полевой MOSFET-транзистор для управления питанием и коммутации нагрузки в низковольтных электронных схемах. Распиновка корпуса SO-8: выводы 1, 2, 3 — исток (Source), вывод 4 — затвор (Gate), выводы 5, 6, 7, 8 — сток (Drain).
Технические характеристики
- Тип канала: P-канальный
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -30 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): -11 А при 25 °C
- Импульсный ток стока (IDM): -55 А
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±25 В
- Сопротивление в открытом состоянии RDS(on): 13 мОм при VGS = -10 В; 21,8 мОм при VGS = -4,5 В
- Пороговое напряжение затвора VGS(th): от -1 до -3 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт
- Защита от электростатического разряда (ESD): до 5,4 кВ
- Корпус: SO-8, SMD
Функционал
- Коммутация электрической нагрузки
- Управление цепями питания
- Работа в низковольтных электронных схемах
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | SO-8 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 25 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,0218 |
| Полярность | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1-3 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 11 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 2,5 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 3 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 120 |
Информация для заказа
- Цена: 39,44 ₴