Транзистор полевой IRF640NS
- В наличии
- Код: A118070
38,28 ₴
Транзистор полевой IRF640NSВ наличии
38,28 ₴
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
N; 200V; 18A; 150W; 0.15 Ohm
Описание
IRF640NS — мощный N-канальный MOSFET-транзистор технологии HEXFET в корпусе D2Pak (TO-263), предназначенный для поверхностного монтажа и коммутации силовых нагрузок. Имеет низкое сопротивление открытого канала и металлическую теплоотводящую площадку.
Распиновка при расположении транзистора стороной с маркировкой к себе: 1 — Gate (затвор), управляющий вывод; 2 — Drain (сток), также электрически соединен с широкой металлической теплоотводящей площадкой корпуса; 3 — Source (исток).
Технические характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 200 В
- Максимальный ток стока (ID): 18 А при температуре корпуса 25 °C
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,15 Ом при VGS = 10 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 2–4 В
- Заряд затвора (Qg): около 64–83 нКл
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 150 Вт при соответствующем теплоотводе
- Корпус: D2Pak (TO-263), SMD
Функционал
- Коммутация силовых нагрузок
- Импульсное переключение электрических цепей
- Работа в силовых схемах питания
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 38,28 ₴