N; 30V; 12A; 2.5W; 0.011 Ohm
Описание
IRF7413 — N-канальный MOSFET-транзистор, изготовленный по технологии HEXFET и предназначенный для высокочастотных DC-DC преобразователей, импульсных источников питания (SMPS) и схем управления питанием. Имеет низкое сопротивление открытого канала и поддерживает управление низким напряжением.
Распиновка корпуса SO-8: выводы 1, 2, 3 — Source (исток); вывод 4 — Gate (затвор); выводы 5, 6, 7, 8 — Drain (сток).
Технические характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 30 В
- Максимальный ток стока (ID): 13 А при температуре 25 °C; 9,6 А при 70 °C
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,011 Ом при VGS = 10 В
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 1–3 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 2,5 Вт
- Диапазон рабочих температур: -55...+150 °C
- Корпус: SO-8, SMD
Функционал
- Коммутация нагрузок постоянного тока
- Высокочастотное переключение электрических цепей
- Работа в DC-DC преобразователях и импульсных источниках питания
- Управление нагрузкой сигналом низкого напряжения
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IR |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | SO-8 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,011 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1-3 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 13 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 2,5 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 8,6 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 52 |
Информация для заказа
- Цена: 56,84 ₴


