Транзистор полевой FQP6N90C

Описание

FQP6N90C — мощный высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для импульсных источников питания (SMPS), схем активной коррекции коэффициента мощности (PFC) и электронных балластов.

Распиновка при расположении транзистора стороной с маркировкой к себе, выводами вниз, слева направо: 1 — Gate (затвор), управляющий вывод; 2 — Drain (сток), центральный вывод, электрически соединенный с металлической теплоотводящей подложкой корпуса; 3 — Source (исток).

Технические характеристики

• Тип: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 900 В
• Максимальный постоянный ток стока (ID): 6 А при температуре корпуса 25 °C; 3,8 А при 100 °C
• Максимальный импульсный ток стока (IDM): 24 А
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)): до 2,3 Ом, типично 1,93 Ом при VGS = 10 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (VGSS): ±30 В
• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 3–5 В
• Полный заряд затвора (Qg): типично 30 нКл
• Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 167 Вт при температуре корпуса 25 °C
• Диапазон рабочих температур: -55...+150 °C
• Корпус: TO-220, пластиковый с металлической теплоотводящей подложкой

Функционал

• Коммутация высоковольтных электрических цепей
• Импульсное переключение силовых нагрузок
• Работа в схемах активной коррекции коэффициента мощности