N-ch; 30V; 11A; 2.5W; 12.5 mOhm
Описание
IRF7466TR — N-канальный MOSFET-транзистор средней мощности в компактном SMD-корпусе SO-8, предназначенный для высокочастотных DC-DC преобразователей, синхронного выпрямления и коммутации нагрузок. Имеет низкое сопротивление открытого канала и поддерживает управление логическим уровнем.
Распиновка корпуса SO-8: выводы 1, 2, 3 — Source (исток); вывод 4 — Gate (затвор); выводы 5, 6, 7, 8 — Drain (сток).
Технические характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 30 В
- Максимальный ток стока (ID): 11 А при температуре 25 °C
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 12,5 мОм при VGS = 10 В
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 1–3 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 2,5 Вт
- Диапазон рабочих температур: -55...+150 °C
- Корпус: SO-8, SMD
Функционал
- Коммутация нагрузок постоянного тока
- Работа в высокочастотных DC-DC преобразователях
- Синхронное выпрямление
- Управление сигналом логического уровня
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | SO-8 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,0125 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1-3 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 11 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 2,5 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 10 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 13 |
Информация для заказа
- Цена: 24,36 ₴


