Транзистор полевой FQPF10N60C
- Готово к отправке
- Код: A118048
48,14 ₴
Транзистор полевой FQPF10N60CГотово к отправке
48,14 ₴
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
N-Channel, Udss=600 В, Id=9,5 А, Rds(on)=0,73 Ом, Ugs=10 В
Описание
FQPF10N60C — мощный высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор в полностью изолированном корпусе TO-220F, предназначенный для импульсных блоков питания, PFC-корректоров, электронных балластов и инверторов. Изолированный корпус позволяет устанавливать транзистор на общий радиатор без дополнительной изолирующей прокладки.
Технические характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 600 В
- Постоянный ток стока (ID): 9,5 А при 25°C
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): 38 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,73 Ом типичное, 0,8 Ом максимальное
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGSS): ±30 В
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 2–4 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 50 Вт
- Заряд затвора (Qg): около 44 нКл
- Корпус: TO-220F (Full Pack)
Функционал
- Коммутация высоковольтных силовых цепей
- Работа в импульсных блоках питания
- Работа в активных корректорах коэффициента мощности (PFC)
- Управление нагрузкой в электронных балластах и инверторах
Распиновка
- 1 — G (Gate): затвор, управляющий вывод
- 2 — D (Drain): сток, силовой вывод
- 3 — S (Source): исток
Распиновка указана при взгляде на транзистор со стороны маркировки, выводами вниз.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | TO-220F |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 30 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 600 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,73 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 9,5 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 50 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 23 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 144 |
Информация для заказа
- Цена: 48,14 ₴