Транзистор полевой IRF7319

Описание

IRF7319 — сдвоенный MOSFET-транзистор в корпусе SO-8 для поверхностного монтажа, содержащий один N-канальный и один P-канальный транзистор. Предназначен для коммутации нагрузок, построения мостовых схем и управления маломощными электродвигателями.

Технические характеристики

• Тип транзистора: сдвоенный MOSFET, HEXFET
• Каналы: 1×N-канальный, 1×P-канальный
• Максимальное напряжение сток-исток (VDSS), N-канал: 30 В
• Максимальное напряжение сток-исток (VDSS), P-канал: -30 В
• Максимальный ток стока (ID), N-канал: 6,5 А
• Максимальный ток стока (ID), P-канал: -4,9 А
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)), N-канал: 0,029 Ом при VGS = 10 В; 0,046 Ом при VGS = 4,5 В
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)), P-канал: 0,065 Ом при VGS = -10 В; 0,095 Ом при VGS = -4,5 В
• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)), N-канал: 1–3 В
• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)), P-канал: от -1 до -3 В
• Максимальная рассеиваемая мощность: 2 Вт для каждого канала
• Корпус: SO-8
• Тип монтажа: SMD
• Распиновка: пин 1 — исток P-канала (S2); пин 2 — затвор P-канала (G2); пин 3 — исток N-канала (S1); пин 4 — затвор N-канала (G1); пины 5, 6 — сток N-канала (D1); пины 7, 8 — сток P-канала (D2)

Функционал

• Коммутация нагрузок
• Построение мостовых схем
• Управление маломощными электродвигателями
• Управление нагрузкой в ШИМ-схемах
• Управление от цифровых схем с уровнем 4,5 В