Транзистор полевой IRF9510S

Описание

IRF9510S — мощный P-канальный MOSFET-транзистор в корпусе D²PAK (TO-263) для поверхностного монтажа, предназначенный для коммутации нагрузок в силовых и импульсных электронных схемах. Поддерживает быстрое переключение и работу с индуктивными нагрузками.

Технические характеристики

• Тип транзистора: MOSFET, HEXFET
• Тип канала: P-канальный
• Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -100 В
• Максимальный постоянный ток стока (ID): -4 А при температуре корпуса 25 °C
• Максимальный постоянный ток стока (ID): -2,8 А при температуре корпуса 100 °C
• Максимальный импульсный ток стока (IDM): -16 А
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 1,2 Ом при VGS = -10 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): от -2 до -4 В
• Максимальная мощность рассеивания: 43 Вт
• Энергия одиночного лавинного импульса (EAS): 200 мДж
• Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C
• Корпус: D²PAK (TO-263)
• Тип монтажа: SMD
• Распиновка: пин 1 — затвор (Gate, G); пин 2 — сток (Drain, D); пин 3 — исток (Source, S)
• Металлическое основание корпуса соединено со стоком (Drain)

Функционал

• Коммутация нагрузки в верхнем плече (High-Side Switch)
• Работа в импульсных стабилизаторах и преобразователях напряжения
• Управление электродвигателями и реле
• Коммутация индуктивных нагрузок