Транзистор полевой IRF530N
- В наличии
- Код: A118021
41,76 ₴
Транзистор полевой IRF530NВ наличии
41,76 ₴
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
(N-Ch) 100V; 17A; 79W; 0,11Ohm
Описание
IRF530N — мощный кремниевый N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-220AB, предназначенный для быстрой коммутации нагрузок в силовых и импульсных электронных схемах. Имеет низкое сопротивление открытого канала и управляется напряжением на затворе.
Технические характеристики
- Тип транзистора: MOSFET
- Тип канала: N-канальный
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 100 В
- Максимальный ток стока (ID): 17 А при температуре корпуса 25 °C
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,09 Ом (90 мОм) при VGS = 10 В
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 2–4 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 70 Вт
- Корпус: TO-220AB
- Распиновка: пин 1 — затвор (Gate, G); пин 2 — сток (Drain, D); пин 3 — исток (Source, S)
- Металлическая подложка корпуса соединена со стоком (Drain)
Функционал
- Коммутация нагрузок в силовых электронных схемах
- Работа в импульсных источниках питания
- Работа в преобразователях напряжения
- Работа в усилителях мощности
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IR |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | TO-220 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 100 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,09 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 17 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 70 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 9 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 35 |
Информация для заказа
- Цена: 41,76 ₴