(N-Ch) 74W; 400V; 5,5A; 1Ohm
Описание
IRF730S — мощный N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе D2PAK (TO-263) для поверхностного монтажа, предназначенный для высоковольтной и высокоскоростной коммутации в силовых электронных схемах.
Технические характеристики
- Тип транзистора: MOSFET
- Тип канала: N-канальный
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 400 В
- Максимальный ток стока (ID): 5,5 А при температуре корпуса 25 °C
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 1,0 Ом
- Максимальная рассеиваемая мощность: 74 Вт
- Корпус: D2PAK (TO-263), SMD
- Устойчивость к лавинному пробою: Avalanche Rated
Функционал
- Высоковольтная коммутация нагрузок
- Работа в импульсных блоках питания (SMPS)
- Преобразование напряжения в DC-DC и DC-AC преобразователях
- Управление электроприводами малой мощности
- Работа в электронных балластах
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IR |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | SMD-220 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 400 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 1 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 5,5 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 74 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 10 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 38 |
Информация для заказа
- Цена: 33,06 ₴


