900V, 0.9Ω тип., 12A N-канальный
Описание
це N-канальный високовольтний MOSFET с изолированным затвором, розрахований на високовольтну силову комутацію. Применяется в SMPS, інверторах, PFC, UPS, преобразователях і високовольтних ключових каскадах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный високовольтний MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 900 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 12 А
- Сопротивление открытого канала RDS(on): typ 0,9 Ом за карткою; datasheet Cmos дає близько 1,1 Ом max/nom залежно умови
- Пороговое напряжение VGS(th): до ≈5 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±30 В
- Рассеиваемая мощность (PD): ≈280 Вт
- Температура перехода / рабочий диапазон: -55…+150 °C
- Полный заряд затвора (Qg): ≈83 нКл
- Ёмкости: Ciss ≈3 нФ; Coss ≈200 пФ; Crss ≈30 пФ
- Корпус: TO-247
Функционал
- SMPS
- інверторах
- PFC
- UPS
- преобразователях
- високовольтних ключових каскадах
Распиновка
Корпус TO-247, вид на сторону с маркировкой, выводы вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) У неізольованому силовому корпусі металлическая задняя пластина/tab также соединена з Drain (D).
Информация для заказа
- Цена: 128,76 ₴



