N-канальный; 75 В, 80 А, 11 мОм
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором. Применяется в DC-DC преобразователях, BMS, автомобильной электронике, драйверах двигателей, UPS і ключах нагрузки.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 75 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 80 А
- Сопротивление открытого канала RDS(on): typ 9,5 мОм; max 11 мОм @10 В
- Пороговое напряжение VGS(th): typ ≈3 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 300 Вт
- Температура перехода / рабочий диапазон: -55…+175 °C
- Ёмкости: Ciss ≈3,7 нФ
- Корпус: D2PAK
Функционал
- DC-DC преобразователях
- BMS
- автомобильной электронике
- драйверах двигателей
- UPS
- ключах нагрузки
Распиновка
Корпус D2PAK, стандартний одиночний силовий MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S) Велика металева/теплова площадка також Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ST |
Информация для заказа
- Цена: 74,82 ₴



