N-канальний, 200А, 100В, Rds(on)=2.5мОм, Vgs=±20В, Pd=227Вт
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором. Применяется в DC-DC преобразователях, BMS, автомобильной электронике, драйверах двигателей, UPS і ключах нагрузки.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 100 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 200 А
- Сопротивление открытого канала RDS(on): 2,5 мОм @10 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 227 Вт
- Корпус: TO-220AB
Функционал
- DC-DC преобразователях
- BMS
- автомобильной электронике
- драйверах двигателей
- UPS
- ключах нагрузки
Распиновка
Корпус TO-220AB, вид на сторону с маркировкой, выводы вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) У неізольованому силовому корпусі металлическая задняя пластина/tab также соединена з Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Noname |
Информация для заказа
- Цена: 128,76 ₴



