N-ch; 30V; 98A; 175W; 0.0024 Ohm
Описание
це N-канальный MOSFET, VBsemi с изолированным затвором. Применяется в DC-DC преобразователях, BMS, автомобильной электронике, драйверах двигателей, UPS і ключах нагрузки.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET, VBsemi
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 30 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 98 А
- Максимальный импульсный ток (IDM): 300 А
- Сопротивление открытого канала RDS(on): 2,4 мОм @10 В; 2,7 мОм @4,5 В
- Пороговое напряжение VGS(th): 1,5…2,5 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 250 Вт @Tc=25°C (175 Вт @70°C); картка вказує 175 Вт
- Температура перехода / рабочий диапазон: -55…+175 °C
- Полный заряд затвора (Qg): typ 82 нКл
- Корпус: D2PAK
Функционал
- DC-DC преобразователях
- BMS
- автомобильной электронике
- драйверах двигателей
- UPS
- ключах нагрузки
Распиновка
Корпус D2PAK, стандартний одиночний силовий MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S) Велика металева/теплова площадка також Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 30,16 ₴



