N-Channel; 30 В; 80 А; 101 Вт; 3,1 мОм
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором. Применяется в DC-DC преобразователях, BMS, автомобильной электронике, драйверах двигателей, UPS і ключах нагрузки.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 30 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 80 А
- Сопротивление открытого канала RDS(on): 3,1 мОм @10 В
- Пороговое напряжение VGS(th): typ ≈1,8 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 101 Вт
- Температура перехода / рабочий диапазон: -55…+150 °C
- Полный заряд затвора (Qg): ≈50 нКл @10 В
- Ёмкости: Ciss ≈2,343 нФ; Crss ≈300 пФ
- Корпус: TO-252
Функционал
- DC-DC преобразователях
- BMS
- автомобильной электронике
- драйверах двигателей
- UPS
- ключах нагрузки
Распиновка
Корпус TO-252, стандартний одиночний силовий MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S) Велика металева/теплова площадка також Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 30,16 ₴



