P-ch; 200V; 11A; 125W; 0.5 Ohm
Описание
це P-канальный MOSFET с изолированным затвором. Типичное применение: верхние ключи питания, защита от переполюсовки, батарейные системы, DC-DC перетворювачі та силова комутація.
Технические характеристики
- Тип / канал: P-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -200 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): -11 А
- Максимальный импульсный ток (IDM): ≈-44 А
- Сопротивление открытого канала RDS(on): max ≈0,5 Ом @-10 В
- Пороговое напряжение VGS(th): -2…-4 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 125 Вт
- Температура перехода / рабочий диапазон: -55…+150 °C
- Корпус: TO-220AB
Функционал
- верхние ключи питания
- защита от переполюсовки
- батарейные системы
- DC-DC перетворювачі
- силова комутація
Распиновка
Корпус TO-220AB, вид на сторону с маркировкой, выводы вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) У неізольованому силовому корпусі металлическая задняя пластина/tab также соединена з Drain (D).
Информация для заказа
- Цена: 41,18 ₴



