(N-CH) 800V; 12A; 160W; 0,37OHM
Описание
це N-канальный MOSFET, VBsemi-версія с изолированным затвором, розрахований на високовольтну силову комутацію. Применяется в SMPS, інверторах, PFC, UPS, преобразователях і високовольтних ключових каскадах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET, VBsemi-версія
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 800 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 12 А
- Сопротивление открытого канала RDS(on): ≈0,37 Ом за карткою VBsemi
- Пороговое напряжение VGS(th): прибл. 2…4 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20…30 В залежно конкретної VBsemi-ревізії
- Рассеиваемая мощность (PD): 160 Вт
- Температура перехода / рабочий диапазон: -55…+150 °C
- Корпус: TO-220AB
Функционал
- SMPS
- інверторах
- PFC
- UPS
- преобразователях
- високовольтних ключових каскадах
Распиновка
Корпус TO-220AB, вид на сторону с маркировкой, выводы вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) У неізольованому силовому корпусі металлическая задняя пластина/tab также соединена з Drain (D).
Информация для заказа
- Цена: 143,26 ₴



