Транзистор полевой K100E08N1
- Готово к отправке
- Код: A118522
66,12 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴
Транзистор полевой K100E08N1Готово к отправке
66,12 ₴
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
N-Ch; 80 V; 100 A; 255 W; Rds(on) 0,0026–0,0032 Ом
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором. Применяется в DC-DC преобразователях, BMS, автомобильной электронике, драйверах двигателей, UPS і ключах нагрузки.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 80 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): до 214 А за Toshiba absolute maximum; картка обмежує 100 А
- Максимальный импульсный ток (IDM): високий імпульсний струм, package/SOA-limited
- Сопротивление открытого канала RDS(on): typ 2,6 мОм; max 3,2 мОм @10 В
- Пороговое напряжение VGS(th): 2…4 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 255 Вт
- Температура перехода / рабочий диапазон: -55…+150 °C
- Полный заряд затвора (Qg): ≈130 нКл
- Корпус: TO-220AB
Функционал
- DC-DC преобразователях
- BMS
- автомобильной электронике
- драйверах двигателей
- UPS
- ключах нагрузки
Распиновка
Корпус TO-220AB, вид на сторону с маркировкой, выводы вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) У неізольованому силовому корпусі металлическая задняя пластина/tab также соединена з Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
Информация для заказа
- Цена: 66,12 ₴