N-ch; MOSFET; 30В; 18А; 11W
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором. Применяется в DC-DC преобразователях, BMS, автомобильной электронике, драйверах двигателей, UPS і ключах нагрузки.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 30 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 18 А @25 °C
- Максимальный импульсный ток (IDM): 64 А
- Сопротивление открытого канала RDS(on): max 20 мОм @10 В; 32 мОм @4,5 В
- Пороговое напряжение VGS(th): 1,5…2,6 В (typ 2,1 В)
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 11 Вт
- Температура перехода / рабочий диапазон: -55…+150 °C
- Полный заряд затвора (Qg): 7,1 нКл @4,5 В
- Корпус: DFN08
Функционал
- DC-DC преобразователях
- BMS
- автомобильной электронике
- драйверах двигателей
- UPS
- ключах нагрузки
Распиновка
Корпус DFN3x3A-8L, вид сверху: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D) Exposed thermal pad також відноситься до Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ALPHA |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | DFN3X3-8 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,032 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1,5-2,6 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 23 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 16 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 4,3 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 15,8 |
Информация для заказа
- Цена: 29 ₴



