N-ch; 200V; 2.6A; 25W; 1.5 Ohm
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором. Применяется в DC-DC преобразователях, BMS, автомобильной электронике, драйверах двигателей, UPS і ключах нагрузки.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 200 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): ≈2,6 А за карткою IR
- Сопротивление открытого канала RDS(on): ≈1,5 Ом за карткою
- Пороговое напряжение VGS(th): типово 2…4 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 25 Вт
- Температура перехода / рабочий диапазон: -55…+150 °C
- Корпус: D-Pack
Функционал
- DC-DC преобразователях
- BMS
- автомобильной электронике
- драйверах двигателей
- UPS
- ключах нагрузки
Распиновка
Корпус D-Pack, стандартний одиночний силовий MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S) Велика металева/теплова площадка також Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IR |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | D-Pak |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 200 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 1,5 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 2,6 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 25 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 8,2 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 14 |
Информация для заказа
- Цена: 24,36 ₴



