Полевой транзистор FDC606P
- Готово к отправке
- Код: A118513
13,92 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴
Полевой транзистор FDC606PГотово к отправке
13,92 ₴
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
P-Ch; 12V; 4,2А; 1,6W; 0,026Ohm;
Описание
це P-канальный Logic-Level MOSFET с изолированным затвором. Типичное применение: верхние ключи питания, защита от переполюсовки, батарейные системы, DC-DC перетворювачі та силова комутація.
Технические характеристики
- Тип / канал: P-канальный Logic-Level MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -12 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): -6 А (оригінальний Fairchild/onsemi)
- Максимальный импульсный ток (IDM): -20 А
- Сопротивление открытого канала RDS(on): max 26 мОм @-4,5 В; 35 мОм @-2,5 В; 53 мОм @-1,8 В
- Пороговое напряжение VGS(th): -0,4…-1,5 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±8 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 1,6 Вт
- Температура перехода / рабочий диапазон: -55…+150 °C
- Полный заряд затвора (Qg): typ 18 / max 25 нКл
- Корпус: TSOT-23-6
Функционал
- верхние ключи питания
- защита от переполюсовки
- батарейные системы
- DC-DC перетворювачі
- силова комутація
Распиновка
Корпус SuperSOT-6 / TSOT-23-6, вид сверху: 1. Source (S) 2. Drain (D) 3. Gate (G) 4. Drain (D) 5. Drain (D) 6. Drain (D) Кілька контактів Drain зменшують опір та покращують тепловідведення.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
Информация для заказа
- Цена: 13,92 ₴