P-ch; 60V 1.8A 500mΩ 3.1W
Описание
це P-канальный MOSFET с изолированным затвором. Используется для верхньої комутації живлення, захисту від переполюсовки, DC-DC перетворювачів і силових ключів.
Технические характеристики
- Тип / канал: P-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -60 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): -1,8 А
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): до ≈-14 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max ≈0,5 Ом @-10 В
- Пороговое напряжение VGS(th): -2…-4 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 3,1 Вт
- Температурный диапазон / Tj max: -55…+150 °C
- Корпус: SOT-223
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Силовая коммутация
- Верхняя коммутация питания
- Защита от переполюсовки
Распиновка
Корпус SOT-223: 1=Gate (G), 2=Drain (D), 3=Source (S); велика площадка також Drain.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 20,88 ₴


